©2004 仙童 半导体 公司
fqb34p10 / fqi34p10
rev. b, 六月 2004
典型 特性
图示 5. 电容 特性 图示 6. 门 承担 特性
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
GS
顶 : -15.0 v
-10.0 v
-8.0 v
-7.0 v
-6.5 v
-5.5 v
-5.0 v
bottom : -4.5 v
便条 :
※
1. 250µ s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
℃
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
DS
, 流-源 电压 [v]
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
便条 : t
※
J
= 25
℃
V
GS
= - 20v
V
GS
= - 10v
R
ds(在)
[
Ω
],
流-源 在-阻抗
-i
D
, 流 电流 [a]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
C
iss
= c
gs
+ c
gd
(c
ds
= 短接)
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
注释 :
※
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
capacitances [pf]
V
DS
, 流-源 voltage [v]
0 20406080100
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -50v
V
DS
= -20v
V
DS
= -80v
便条 : i
※
D
= -33.5 一个
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
246810
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
25
℃
-55
℃
注释 :
※
1. v
DS
= -40v
2. 250µ s 脉冲波 测试
-i
D
, 流 电流 [a]
-v
GS
, 门-源 电压 [v]
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
注释 :
※
1. v
GS
= 0v
2. 250µ s 脉冲波 测试
25
℃
-i
DR
, 反转 流 电流 [a]
-v
SD
, 源-流 电压 [v]
图示 3. 在-阻抗 变化 vs.
流 电流 和 门 电压
图示 4. 身体 二极管 向前 电压
变化 vs. 源 电流
和 温度
图示 2. 转移 特性图示 1. 在-区域 特性
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