初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变.
jan.1999
V
(br) dss
I
GSS
I
DSS
V
gs (th)
r
ds (在)
r
ds (在)
V
ds (在)
y
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d (在)
t
r
t
d (止)
t
f
V
SD
R
th (ch-c)
t
rr
V
µ
一个
毫安
V
Ω
Ω
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
°c/w
ns
–30
—
—
–1.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.8
0.11
0.21
–1.1
5.8
1130
232
83
15
33
49
26
–1.0
—
50
—
±0.1
–0.1
–2.3
0.13
0.29
–1.3
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
6.25
—
电的 特性
(tch = 25°c)
流-源 损坏 电压
门-源 泄漏 电流
流-源 泄漏 电流
门-源 门槛 电压
流-源 在-状态 阻抗
流-源 在-状态 阻抗
流-源 在-状态 电压
向前 转移 admittance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
源-流 电压
热的 阻抗
反转 恢复 时间
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
效能 曲线
I
D
= –1ma, v
DS
= 0v
V
GS
= ±20v, v
DS
= 0v
V
DS
= –30v, v
GS
= 0v
I
D
= –1ma, v
DS
= –10v
I
D
= –10a, v
GS
= –10v
I
D
= –2a, v
GS
= –4v
I
D
= –10a, v
GS
= –10v
I
D
= –10a, v
DS
= –5v
V
DS
= –10v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
V
DD
= –15v, i
D
= –10a, v
GS
= –10v, r
GEN
= r
GS
= 50
Ω
I
S
= –10a, v
GS
= 0v
频道 至 情况
I
S
= –10a, dis/dt = 50a/
µ
s
0
8
16
24
32
40
0 20050 100 150
0
–4
–8
–12
–16
–20
0 –1.0 –2.0 –3.0 –4.0 –5.0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2.0
–10
0
–2
–3
–5
–7
–10
1
–2
–2
–3
–5
–7
–10
2
–2
–3
–5
–7
–2
–10
0
–3 –5–7 –2
–10
1
–3 –5–7 –2
–10
2
–3 –5–7 –2
tw = 10
µ
s
T
C
= 25°c
脉冲波 设置
100
µ
s
10ms
1ms
直流
tc = 25°c
脉冲波 测试
–6V
–7V
–8V
P
D
=
20W
V
GS
=
–10V
–4V
–3V
–5V
–4V
–3V
V
GS
= –10v –8V
–6V
tc = 25°c
脉冲波 测试
–5V
电源 消耗 减额 曲线
情况 温度 t
C
(°c)
电源 消耗 p
D
(w)
最大 safe 运行 范围
流-源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
输出 特性
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
流-源 电压 v
DS
(v)
输出 特性
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
流-源 电压 v
DS
(v)
mitsubishi pch 电源 场效应晶体管
fx20kmj-03
高-速 切换 使用
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