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资料编号：337962
 
资料名称：FX30KMJ-03
 
文件大小： 55.48K
   
说明：
 
介绍:
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变.
jan.1999
0
–1.0
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
0 –2–4–6–8–10
I
D
= –50a
–15A
–30A
tc = 25°c
脉冲波 测试
–10
0
–10
1
–2 –3 –5 –7
–10
2
–2 –3 –5 –7
10
1
2
3
4
5
7
10
2
2
3
4
5
7
2
T
C
= 25°c
75°C 125°C
V
DS
= –10v
脉冲波 测试
–10
0
–5 –7 –2 –3
–10
1
–5 –7 –2 –3 –5
10
1
10
2
2
3
5
4
4
7
10
3
2
3
5
7
t
d(止)
t
d(在)
t
r
tch = 25°c
V
GS
= –10v
V
DD
= –15v
R
GEN
= r
GS
= 50
Ω
t
f
0
40
80
120
160
200
–10
–1
–2
–10
0
–3 –5 –7 –2
–10
1
–3 –5–7 –2
–10
2
–3 –5 –7
–10V
V
GS
= –4v
tc = 25°c
脉冲波 测试
0
–10
–20
–30
–40
–50
0 –2–4–6–8–10
tc = 25°c
V
DS
= –10v
脉冲波 测试
10
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
2
5
7
–10
0
–2
–10
1
–3 –5–7–3 –5–7 –2
–10
2
3–5–7 –2–3
2
Ciss
Coss
Crss
tch = 25°c
f = 1mh
Z
V
GS
= 0v
在-状态 电压 vs.
门-源 电压
(典型)
门-源 电压 v
GS
(v)
流-源 在-状态
电压 v
ds (在)
(v)
在-状态 阻抗 vs.
流 电流
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
流-源 在-状态
阻抗 r
ds (在)
(m
Ω
)
转移 特性
(典型)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移 admittance
vs.流 电流
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移
ADMITTANCE
y
fs
(s)
切换 特性
(典型)
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 vs.
流-源 电压
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
电容
ciss, coss, crss (pf)
切换 时间 (ns)
mitsubishi pch 电源 场效应晶体管
fx30kmj-03
高-速 切换 使用
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