technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
fz 1200 r 17 kf6 b2
höchstzulässige werte / 最大 评估 值
elektrische eigenschaften / 电的 properties
kollektor-发射级-sperrspannung
集电级-发射级 电压
V
CES
1700 V
kollektor-dauergleichstrom
T
C
= 80 °c I
c,nom.
1200 一个
直流-集电级 电流
T
C
= 25 °c I
C
2400 一个
periodischer kollektor spitzenstrom
repetitive 顶峰 集电级 电流
t
P
= 1 ms, t
C
= 80°c I
CRM
2400 一个
gesamt-verlustleistung
总的 电源 消耗
T
C
=25°c, 晶体管 P
tot
9,6 kW
门-发射级-spitzenspannung
门-发射级 顶峰 电压
V
GES
+/- 20v V
Dauergleichstrom
直流 向前 电流
I
F
1200 一个
periodischer spitzenstrom
repetitive 顶峰 forw. 电流
tp = 1 ms
I
FRM
2400 一个
grenzlastintegral der 二极管
I
2
t - 值, 二极管
V
R
= 0v, t
p
= 10ms, t
Vj
= 125°c
I
2
t
440
kA
2
s
isolations-prüfspannung
绝缘 测试 电压
rms, f = 50 hz, t = 1 最小值
V
ISOL
4kV
charakteristische werte / 典型的 值
晶体管 / 晶体管
最小值 典型值 最大值
kollektor-发射级 sättigungsspannung
I
C
= 1200a, v
GE
= 15v, t
vj
= 25°c V
ce sat
2,6 3,1 V
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
= 1200a, v
GE
= 15v, t
vj
= 125°c
3,1 3,6 V
门-schwellenspannung
门 门槛 电压
I
C
= 80ma, v
CE
= v
GE
, t
vj
= 25°c V
ge(th)
4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
门 承担
V
GE
= -15v ... +15v Q
G
14,5 µC
Eingangskapazität
输入 电容
f = 1mhz,t
vj
= 25°c,v
CE
= 25v, v
GE
= 0v C
ies
79 nF
Rückwirkungskapazität
反转 转移 电容
f = 1mhz,t
vj
= 25°c,v
CE
= 25v, v
GE
= 0v C
res
4nF
kollektor-发射级 reststrom
V
CE
= 1700v, v
GE
= 0v, t
vj
= 25°c I
CES
0,03 2,5 毫安
集电级-发射级 截-止 电流
V
CE
= 1700v, v
GE
= 0v, t
vj
= 125°c
16 120 毫安
门-发射级 reststrom
门-发射级 泄漏 电流
V
CE
= 0v, v
GE
= 20v, t
vj
= 25°c I
GES
400 nA
准备好 用: oliver schilling 日期 的 发行: 4.9.1998
批准 用: chr. lübke; 08.10.99 修订: 2 (serie)
1(8)
FZ1200R17KF6B2
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