technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
fz 1200 r 33 kf2_b5
vorläufige daten
初步的 数据
höchstzulässige werte / 最大 评估 值
elektrische eigenschaften / 电的 properties
kollektor-发射级-sperrspannung
T
vj
= 25°c
V
CES
3300
V
集电级-发射级 电压 T
vj
= -25°c
V
CES
3300
V
kollektor-dauergleichstrom
T
C
= 80°c
I
c,nom.
1200 一个
直流-集电级 电流 T
C
= 25 °c
I
C
2000 一个
periodischer kollektor spitzenstrom
repetitive 顶峰 集电级 电流
t
P
= 1 ms, t
C
= 80°c I
CRM
2400 一个
gesamt-verlustleistung
总的 电源 消耗
T
C
=25°c, 晶体管 P
tot
14,7 kW
门-发射级-spitzenspannung
门-发射级 顶峰 电压
V
GES
+/- 20v V
Dauergleichstrom
直流 向前 电流
I
F
1200 一个
periodischer spitzenstrom
repetitive 顶峰 forw. 电流
t
P
= 1 ms I
FRM
2400 一个
grenzlastintegral der 二极管
I
2
t - 值, 二极管
V
R
= 0v, t
p
= 10ms, t
vj
= 125°c
I
2
tk 一个
2
s
spitzenverlustleistung der 二极管
最大 电源 消耗 二极管
T
vj
= 125°c P
RQM
1200 kW
isolations-prüfspannung
绝缘 测试 电压
rms, f = 50 hz, t = 1 最小值
V
ISOL
10,2 kV
teilentladungs-aussetzspannung
partial 释放 extinction 电压
rms, f = 50 hz, q
PD
典型值 10pc (acc. 至 iec 1287) V
ISOL
5,1 kV
charakteristische werte / 典型的 值
晶体管 / 晶体管
最小值 典型值 最大值
kollektor-发射级 sättigungsspannung
I
C
= 1200a, v
GE
= 15v, t
vj
= 25°c V
ce sat
- 3,40 4,25 V
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
= 1200a, v
GE
= 15v, t
vj
= 125°c
- 4,30 5,00 V
门-schwellenspannung
门 门槛 电压
I
C
= 120 毫安, v
CE
= v
GE
, t
vj
= 25°c V
ge(th)
4,2 5,1 6,0 V
Eingangskapazität
输入 电容
f = 1mhz, t
vj
= 25°c, v
CE
= 25v, v
GE
= 0v C
ies
- 150 - nF
Rückwirkungskapazität
反转 转移 电容
f = 1mhz, t
vj
= 25°c, v
CE
= 25v, v
GE
= 0v C
res
-8-nf
Gateladung
门 承担
V
GE
= -15v ... + 15v Q
G
-22-µc
kollektor-发射级 reststrom
集电级-发射级 截-止 电流
门-发射级 reststrom
门-发射级 泄漏 电流
V
CE
= 0v, v
GE
= 20v, t
vj
= 25°c I
GES
- - 400 nA
准备好 用: alfons wiesenthal 日期 的 发行 : 2002-10-31
批准 用: christoph lübke 修订: 2.0
444
5mA
V
CE
= 3300v, v
GE
= 0v, t
vj
= 25°c I
CES
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db_fz1200r33kf2 b5_2.0.xls