HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRFZ24N
fifth 一代
HEXFET
®
电源 mosfets
从
国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 这 最低 可能 在-阻抗
每 硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快
切换 速 和 加固 设备 设计 那 hexfet
电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性
的 产品.
这 至-220 包装 是 universally preferred 为 所有
商业的-工业的 产品 在 电源 消耗
水平 至 大概 50 watts. 这 低 热的 阻抗
和 低 包装 费用 的 这 至-220 contribute 至 它的 宽
acceptance 全部地 这 工业.
先进的 处理 技术
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
9/13/99
V
DSS
= 55v
R
ds(在)
= 0.07
Ω
I
D
= 17a
S
D
G
至-220AB
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 –––– –––– 3.3
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 –––– 0.50 –––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 –––– –––– 62
热的 阻抗
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 17
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 12 一个
I
DM
搏动 流 电流
68
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 45 W
直线的 减额 因素 0.30 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
71 mJ
I
AR
avalanche 电流
10 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
4.5 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
www.irf.com 1
pd - 91354a
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