IRFZ24N
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 55 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.052 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.07
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 10a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 4.5 ––– ––– S V
DS
= 25v, i
D
= 10a
––– ––– 25 V
DS
= 55v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 44v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 20 I
D
= 10a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 5.3 nC V
DS
= 44v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 7.6 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 4.9 ––– V
DD
= 28v
t
r
上升 时间 ––– 34 ––– I
D
= 10a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 19 ––– R
G
= 24
Ω
t
f
下降 时间 ––– 27 ––– R
D
= 2.6
Ω,
看 图. 10
在 含铅的,
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 370 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 140 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 65 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
nH
µA
nA
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
I
GSS
L
S
内部的 源 电感 ––– –––
ns
S
D
G
4.5
7.5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
–––
L
D
内部的 流 电感
–––
–––
–––
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
≤
10a, di/dt
≤
280a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175°C
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
V
DD
= 25v, 开始 t
J
= 25°c, l = 1.0mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 10a. (看 图示 12)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 10a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 56 83 ns T
J
= 25°c, i
F
= 10a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 120 180 nC di/dt = 100a/µs
源-流 比率 和 特性
一个
––– ––– 68
––– ––– 17
S
D
G
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