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资料编号:338962
 
资料名称:IRFZ24N
 
文件大小: 123.82K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFZ24N
4 www.irf.com
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
100
200
300
400
500
600
700
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage (v)
一个
V=0V, f =1MHz
C=C+ c, c sHORTED
C=C
C=C+ c
GS
s
gsgd ds
rss
gd
oss ds
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
048121620
Q, total gateCharge (nc)
G
v , gate-至-source voltage (v)
GS
一个
为 测试 电路
SEEURE13
V=44V
V=28V
i = 10一个
DS
DS
D
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
t =25°C
J
V=0V
GS
v , 源-至-流 电压 (v)
i , reverse drain current (一个)
SD
SD
一个
t = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100
V, dra在-至-source voltage (v)
DS
i , 流 电流 (一个)
OPERATION在 这个 一个RE一个LIMITE D
BYR
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
t =25°C
t =175°C
Sin
gle P u lse
C
J
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