飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 IRFZ48N
TrenchMOS
TM
晶体管
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
); i
D
= 25 一个; v
GS
= 5 v
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
); 情况: i
D
= 50 一个; 参数 v
DS
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
-100 -50 0 50 100 150 200
0.5
1
1.5
2
2.5
buk959-60
tmb / degc
rds(在) normlised 至 25degc
一个
0.01 0.1 1 10 100
0
5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
thousands (pf)
vds/v
Ciss
Coss
Crss
buk759-60
-100 -50 0 50 100 150 200
0
1
2
3
4
5
tj / c
vgs(至) / v
最大值
典型值
最小值
0 102030405060
0
2
4
6
8
10
12
vgs/v
vds = 14v
vds = 44v
qg/nc
012345
1e-06
1e-05
1e-04
1e-03
1e-02
1e-01
sub-门槛 传导
典型值
2%
98%
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0
20
40
60
80
100
如果/一个
vsds/v
tj/c = 175 25
二月 1999 5 rev 1.000
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