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资料编号:342270
资料名称:
IRG4PH40UD
文件大小: 220.5K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
: 点此下载
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8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PH40UD
www.irf.com
7
图. 14
- 典型 反转 恢复 vs. di
f
/dt
图. 15
- 典型 恢复 电流 vs. di
f
/dt
图. 16
- 典型 贮存 承担 vs. di
f
/dt
图. 17
- 典型 di
(rec)m
/dt vs. di
f
/dt
0
100
200
300
400
500
600
100
1000
f
d
i /d
t -
(
一个/
µ
s
)
RR
Q
- (nc
)
i =
16
一个
i =
8
.0
一个
i =
4
.0a
F
F
F
v = 200v
t = 125
°
C
t = 25
°
C
R
J
J
10
100
1000
100
1000
f
di /dt -
(
一个/
µ
s
)
d
i(re
c)m/d
t - (一个/µs)
i =
1
6
一个
i =
8.0
一个
i =
4
.0
一个
F
F
F
v = 200v
t = 125
°
C
t = 25
°
C
R
J
J
0
40
80
120
160
200
100
1000
f
d
i /d
t -
(
一个/
µ
s)
t - (ns)
rr
i =
1
6
一个
i = 8.0a
i =
4
.0
一个
F
F
F
v = 200v
t = 125
°
C
t = 25
°
C
R
J
J
1
10
100
100
1000
f
di /dt -
(
一个/
µ
s
)
i - (一个)
IRR
M
i =
1
6
一个
i =
8.0a
i = 4.0a
F
F
F
v = 200v
t = 125
°
C
t = 25
°
C
R
J
J
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