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资料编号:342273
 
资料名称:IRG4PH50U
 
文件大小: 134.14K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PH50U
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 1200
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ecs
发射级-至-集电级 损坏 电压
18
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 1.0a
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
1.20
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
2.56 3.5 I
C
= 20a
2.78 3.7 I
C
= 24a v
GE
= 15v
3.20
I
C
= 45a 看 图.2, 5
2.54
I
C
= 24a , t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
-13
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
23 35
SV
CE
=
100v, i
C
= 24a
——
250 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
2.0 µ一个 V
GE
= 0v, v
CE
= 24v, t
J
= 25
°
C
——
5000 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100 nA V
GE
= ±20v
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
160 250 I
C
= 24a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
27 40 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
53 83 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
35
t
r
上升 时间
15
T
J
= 25
°
C
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
200 350 I
C
= 24a, v
CC
= 960v
t
f
下降 时间
290 500 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
E
转变-在 切换 丧失
0.53
活力 losses 包含 "tail"
E
转变-止 切换 丧失
1.41
mJ 看 图. 9, 10, 14
E
ts
1.94 2.6
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
31
T
J
= 150
°
C
t
r
上升 时间
18
I
C
= 24a, v
CC
= 960v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
320
V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间
280
活力 losses 包含 "tail"
E
ts
5.40
看 图. 11, 14
E
转变-在 切换 丧失
0.35
T
J
= 25
°
C
,
V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
E
转变-止 切换 丧失
1.43
I
C
= 20a, v
CC
= 960v
1.78 2.9 活力 losses 包含 "tail"
4.56
看 图. 9, 10, 11, 14, t
J
= 150
°
C
L
E
内部的 发射级 电感
13
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
3600
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
160
pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
31
—ƒ
= 1.0mhz
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
V
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
mJ
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大
接合面 温度.
脉冲波 宽度
80µs; 职责 因素
0.1%.
脉冲波 宽度 5.0µs, 单独的 shot.
注释:
repetitive 比率; v
GE
= 20v, 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 13b )
V
CC
= 80%(v
CES
), v
GE
= 20v, l = 10µh, r
G
= 5.0
,
(看 图. 13a)
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
mJ
ns
E
ts
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