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资料编号:342275
 
资料名称:IRG4PSH71K
 
文件大小: 146.53K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PSH71K
短的 电路 评估
ultrafast igbt
insulated 门 双极 晶体管
pd - 91687a
E
C
G
n-频道
初步的
特性
• 孔-较少 clip/压力 挂载 包装 兼容
和 至-247 和 至-264, 和 reinforced 管脚
• 高 短的 电路 比率 igbts, 优化 为
motorcontrol
• 最小 切换 losses 联合的 和 低
传导 losses
• creepage 距离 增加 至 5.35mm
• 最高的 电流 比率 igbt
• 最大 电源 密度, 两次 这 电源
处理 的 这 至-247, 较少 空间 比 至-264
益处
V
CES
= 1200v
V
ce(在) 典型值
= 2.97v
@V
GE
= 15v, i
C
= 42a
V
CES
集电级-至-发射级 损坏 电压 1200 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 78
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 42
I
CM
搏动 集电级 电流
➀➀
➀➀
156
I
LM
clamped inductive 加载 电流
➁➁
➁➁
156
t
SC
短的 电路 承受 时间 10 µs
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
E
ARV
反转 电压 avalanche 活力
➂➂
➂➂
170 mJ
P
D
@ t
C
= 25°c 最大电源消耗 350
P
D
@ t
C
= 100°c 最大电源消耗 140
T
J
运行接合面 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (0.063 在. (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
W
5/11/99
www.irf.com 1
超级的 - 247
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– ––– 0.36
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 ––– 0.24 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载 ––– ––– 38
推荐 clip 强迫 20.0(2.0) ––– ––– N(kgf)
重量 ––– 6 (0.21) ––– g (oz)
热的 resistance\ 机械的
参数 最大值 单位
一个
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