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资料编号:342275
 
资料名称:IRG4PSH71K
 
文件大小: 146.53K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
 
 


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IRG4PSH71K
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 1200 ––– ––– V V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ecs
发射级-至-集电级 损坏 电压
➃➃
➃➃
18 ––– ––– V V
GE
= 0v, i
C
= 1.0a
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 ––– 1.1 ––– v/°c V
GE
= 0v, i
C
= 10ma
––– 2.97 3.9 I
C
= 42a v
GE
= 15v
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 ––– 3.44 ––– I
C
= 78a 看 图.2, 5
––– 2.60 ––– I
C
= 42a , t
J
= 150°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 ––– 6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 ––– -12 ––– mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
= 1.5ma
g
fe
向前 跨导
➄➄
➄➄
25 38 ––– S V
CE
= 50v, i
C
= 42a
––– ––– 500 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
––– ––– 2.0 V
GE
= 0v, v
CE
= 10v, t
J
= 25°c
––– ––– 5.0 毫安 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 150°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ––– ––– ±100 nA V
GE
= ±20v
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
V
µA
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
脉冲波 宽度
80µs; 职责 因素
0.1%
脉冲波 宽度 5.0µs, 单独的 shot
repetitive 比率; v
GE
= 20v, 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 13b )
V
CC
= 80%(v
CES
), v
GE
= 20v, l =10µh, r
G
= 5.0
,
(看 图. 13a)
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大
接合面 温度
参数 最小值 典型值 最大值 Units
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 410 610 I
C
= 42a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在) 47 70 nC V
CC
= 400v 看 图.8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) 145 220 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 45
t
r
上升 时间 38 T
J
= 25°c
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 220 340 I
C
= 42a, v
CC
= 960v
t
f
下降 时间 160 250 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
E
转变-在 切换 丧失 2.35 活力 losses 包含 "tail"
E
转变-止 切换 丧失 3.14 mJ 看 图. 9,10,14
E
ts
总的 切换 丧失 5.49 8.3
t
sc
短的 电路 承受 时间 10 µs V
CC
= 720v, t
J
= 125°c
V
GE
= 20v, r
G
= 5.0
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 42 T
J
= 150°c
t
r
上升 时间 41 I
C
= 42a, v
CC
= 960v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 460 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间 250 活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失 11.5 mJ 看 图. 10,11,14
L
E
内部的 发射级 电感 13 nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容 5770 V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 400 pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容 100 ƒ = 1.0mhz
ns
ns
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