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资料编号:342309
资料名称:
IRG4PH50S
文件大小: 130.71K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PH50S
www.irf.com
3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(加载 电流 = i
RMS
的 基本的)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
1
10
100
1000
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
v , 集电级-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
CE
C
v = 15v
80
µs 脉冲波 宽度
GE
t = 150 c
J
°
t = 25 c
J
°
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
12
v , 门-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
C
v = 50v
5µ
s 脉冲波 宽度
CC
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
0
20
40
60
0.1
1
10
f, 频率 (khz)
加载 c
urrent (一个)
一个
60% 的 评估
电压
完美的 二极管
正方形的 波:
为 两个都:
职责 循环: 50%
t = 125
°
C
t = 90
°
C
门 驱动 作 指定
下沉
J
电源 消耗 = 40w
triangular 波:
clamp 电压:
80% 的 评估
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