2001 Oct 30 2
飞利浦 半导体 产品 规格
bilateral 转变 74LVC1G66
特性
•
非常 低 在 阻抗:
–10
Ω
(典型) 在 v
CC
= 2.7 V
–8
Ω
(典型) 在 v
CC
= 3.3 V
–6
Ω
(典型) 在 v
CC
=5v.
•
静电释放 保护:
– HBM eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
– MM eia/jesd22-a115-一个 超过 200 v.
•
高 噪音 免除
•
cmos 低 电源 消耗量
•
获得 向上 效能 超过 250 毫安
•
sot353 包装
•
直接 接口 ttl-水平.
描述
这 74lvc1g66 是 一个 高-速 si-门 cmos 设备.
这 74lvc1g66 提供 一个 相似物 转变. 这 转变
有 二 输入/输出 管脚 (y 和 z) 和 一个 起作用的 高
使能 输入 管脚 (e). 当 管脚 e 是 低, 这 相似物
转变 是 转变 止.
快 涉及 数据
地面 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
3.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+(c
L
+C
S
)
×
V
CC
2
×
f
o
在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
C
S
= 最大值 转变 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特.
2. 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
标识 参数 情况 典型 单位
t
PZH
/t
PZL
转变-在 时间 e 至 V
os
C
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
; v
CC
= 3 V 2.6 ns
C
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
; v
CC
= 5 V 1.9 ns
t
PHZ
/t
PLZ
转变-止 时间 e 至 V
os
C
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
; v
CC
= 3 V 3.4 ns
C
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
; v
CC
= 5 V 2.5 ns
C
I
输入 电容 2 pF
C
PD
电源 消耗 电容 C
L
= 50 pf; f = 10 mhz;
VCC = 3.3 v; 注释 1 和 2
16 pF
C
S
转变 电容 止-状态 5 pF
在-状态 9.5 pF
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