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信息 陈设 用 相似物 设备 是 相信 至 是 精确 和
可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 相似物 设备 为 它的
使用, 也不 为 任何 infringements 的 专利权 或者 其它 权利 的 第三 部
这个将结果从它的使用.非执照是准予用牵涉或者
否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 相似物 设备.
一个
ADG749
一个 技术 方法, p.o. 盒 9106, norwood, 毫安 02062-9106, 美国
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cmos 低 电压
2.5
spdt 转变 在 sc70 包装
函数的 块 图解
在
ADG749
S2
S1
D
switches 显示 为
一个 逻辑 "1" 输入
特性
1.8 v 至 5.5 v 单独的 供应
5
(最大值) 在 阻抗
0.75
(典型值) 在-阻抗 flatness
–3 db 带宽 >200 mhz
栏杆-至-栏杆 运作
6-含铅的 sc70 包装
快 切换 时间
t
在
20 ns
t
止
6 ns
典型 电源 消耗量 (<0.01
w)
ttl/cmos-兼容
产品
电池-powered 系统
交流 系统
样本 支撑 系统
音频的 信号 routing
video 切换
机械的 reed 接转 替换
一般 描述
这 adg749 是 一个 大而单一的 cmos spdt 转变. 这个 转变
是 设计 在 一个 submicron 处理 那 提供 低 电源
消耗 还 给 高 切换 速, 低 在 阻抗 和
低 泄漏 电流.
这 adg749 能 运作 从 一个 单独的 供应 范围 的 1.8 v 至
5.5 v, 制造 它 完美的 为 使用 在 电池-powered 器械 和
和 这 新 一代 的 dacs 和 adcs 从 相似物 设备.
各自 转变 的 这 adg749 conducts equally 好 在 两个都
方向 当 在. 这 adg749 exhibits 破裂-在之前-制造
切换 action.
因为 的 这 先进的 submicron 处理, –3 db 带宽
的 更好 比 200 mhz 能 是 达到.
这 adg749 是 有 在 一个 6-含铅的 sc70 包装.
产品 最好的部分
1. 1.8 v 至 5.5 v 单独的 供应 运作. 这 adg749
提供 高 效能, 包含 低 在 阻抗 和
快 switching 时间, 和 是 全部地 指定 和 有保证的
和 3 v 和 5 v 供应 围栏.
2. 非常 低 r
在
(5
Ω
最大值 在 5 v, 10
Ω
最大值 在 3 v). 在 1.8 V
运作, r
在
是 典型地 40
Ω
在 这 温度 范围.
3. 在-阻抗 flatness (r
flat(在)
) (0.75
Ω
典型值).
4. –3 db 带宽 >200 mhz.
5. 低 电源 消耗. cmos 构建 确保 低
电源 消耗.
6. 快 t
在
/t
止.
7. tiny 6-含铅的 sc70 包装.