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资料编号:345300
 
资料名称:GA100NA60U
 
文件大小: 300.34K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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GA100NA60U
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 430 640 I
C
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在) 48 72 nC V
CC
= 400v 看 图. 7
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) 130 190 V
GE
= 25°c
t
r
上升 时间 ––– 80 ––– ns I
C
= 60a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 240 V
GE
= 15v, r
G
下降 时间 ––– 120 活力 losses 包含 "tail" 和
E
转变-在 切换 丧失 ––– 0.41 ––– 二极管 反转 恢复.
E
转变-止 切换 丧失 ––– 2.51 ––– mJ
E
ts
总的 切换 丧失 ––– 2.92 4.4
t
d(在)
上升 时间 ––– 80 ––– ns I
C
= 60a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 380 ––– V
GE
= 15v, r
G
下降 时间 ––– 170 ––– 活力 losses 包含 "tail" 和
E
ts
总的 切换 丧失 ––– 4.78 ––– mJ 二极管 反转 恢复.
L
E
内部的 发射级 电感 2.0 nH
C
ies
输入 电容 7400 V
GE
输出 电容 730 pF V
CC
= 30v 看 图. 6
C
res
反转 转移 电容 90 ƒ = 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 90 140 ns T
J
= 25°c 看 图.
120 180 T
J
= 50a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流 7.3 11 一个 T
J
= 25°c 看 图.
—1116 T
J
= 125°c 14 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 360 550 nC T
J
= 25°c 看 图.
780 1200 T
J
= 125°c 15 di/dt = 200aµs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 370 一个/µs T
J
= 25°c 看 图.
在 t
b
220 T
J
= 125°c 16
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
600 V V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 0.36 v/°c V
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 1.49 2.1 I
C
= 50a V
GE
= 15v
1.80 V I
C
= 100a 看 图. 1, 4
1.47 I
C
= 50a, t
J
门 门槛 电压 3.0 6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
温度 coeff. 的 门槛 电压 -7.6 mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
向前 跨导
34 52 S V
CE
= 100v, i
C
零 门 电压 集电级 电流 250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
1.3 毫安 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
二极管 向前 电压 漏出 1.3 1.6 V I
C
= 50a 看 图. 12
1.16 1.3 I
C
= 50a, t
J
门-至-发射级 泄漏 电流 ±100 nA V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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