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资料编号:34595
 
资料名称:29W040
 
文件大小: 178.97K
   
说明
 
介绍:
4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
记忆 Blocks
记忆 blocks M29W040 显示
图示 3. 记忆 排列 分隔 8 uniform
blocks 64 kbytes. 各自 erased
separately 或者 任何 结合体 blocks
erased 同时发生地. 擦掉 运作
managedautomatically p/e.c. opera-
tion suspended 顺序 任何
其它 块, 然后 resumed.
保护 提供 额外的 data 安全.
各自 uniform separately 保护 或者
unprotected相反 程序或者 擦掉.BringingA9
G V
ID
initiates 保护, bringing a9,
G E V
ID
cancels 保护.
影响 保护 addressed 在-
puts a16, a17, a18. Unprotect 运作
affects 所有 blocks.
行动
行动 定义 明确的 总线 循环
signals 这个 准许 记忆 读, Command
写, 输出 使不能运转, 备用物品, 状态 位,
保护/unprotect, 保护 审查
电子的Signature 读. 它们 显示
Tables 3, 4, 5.
读.
行动 使用 输出
内容 记忆 排列, 状态 寄存器
或者 电子的 signature. 两个都 碎片 使能 E
输出 使能 G 必须 顺序
输出 记忆. 碎片 使能 输入
提供电源 控制 应当 使用
设备 选择. 输出 使能 应当 使用
data面向 输出independentof 设备
选择. 数据 取决于 previous
command to 记忆 (看 说明
RST rsig, 状态 位).
写.
行动 使用 操作指南
Commands 记忆 或者 获得 输入 数据
编写程序.一个 operation initiated
碎片 使能 E 使能 W
输出 使能 G 高. 地址 latched
下落 边缘 W 或者 E whicheveroccurs last.
Commands 输入 数据 latched rising
边缘 W 或者 E whichever occurs 第一.
输出 使不能运转.
数据 输出 imped-
ance 输出 使能 G
使能 W 高.
备用物品.
记忆 备用物品 碎片
使能 E 程序/擦掉 控制
p/e.c. 空闲. 电源 消耗量 减少
备用物品 水平的 输出 im-
pedance, 独立 输出 使能 G 或者
使能 W 输入.
自动 备用物品.
之后 150ns inactivity
CMOS 水平 驱动 地址,
碎片 automatically enters 一个 pseudo 备用物品 模式
where consumption reduced CMOS
备用物品 值, 输出 安静的 驱动
总线.
电源 向下.
PD command
p/e.c. 记忆 enters 一个 电源 向下
状态 在哪里 电源 消耗量 减少
I
CC6
(典型地 较少 1.0
µ
一个).
电子的 signature.
代号 identifying
生产者 一个nd 设备
记忆, manufacturer’s代号 stmicroelec-
tronics 20h, 设备 代号 E3h
M29W040. These codes al programming
设备 或者 产品 automatically 相一致
它们的 接口 特性 particular
manufacturer’s 产品. 电子的 Signature
输出 一个 运作 电压
应用 A9 V
ID
一个nd 地址 输入 A1
A6 低. 生产者 代号 输出
地址 输入 A0 设备
代号 这个 输入 高. 其它 地址 输入
ignored. 代号 输出 dq0-dq7.
这个 显示 表格 4.
电子的Signature 读, 没有
raising A9 V
ID
记忆 instruc-
tion RSIG (看 在下).
6/31
M29W040
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