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资料编号:35521
 
资料名称:ISL9N312AD3
 
文件大小: 275.8K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
 
 


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isl9n312ad3 / isl9n312ad3st rev c©2002 仙童 半导体 公司
isl9n312ad3 / isl9n312ad3st
图示 11. 电容 vs 流 至 源
电压
图示 12. 门 承担 波形 为 常量
门 电流
图示 13. 切换 时间 vs 门 阻抗 图示 14. 切换 时间 vs 门 阻抗
典型 典型的
(持续) t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
100
1000
0.1 1 10
30
2000
c, 电容 (pf)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
V
GS
= 0v, f = 1mhz
0
2
4
6
8
10
0102030
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
Q
g
, 门 承担 (nc)
I
D
= 14a
波形 在
descending 顺序:
I
D
= 32a
V
DD
= 15v
0
50
100
200
10 20 30 40 50
切换 时间 (ns)
R
GS
, 门 至 源 阻抗 (
)
150
0
V
GS
= 4.5v, v
DD
= 15v, i
D
= 11a
t
r
t
f
t
d(止)
t
d(在)
0
50
100
150
200
0 1020304050
切换 时间 (ns)
R
GS
, 门 至 源 阻抗 (
)
t
d(止)
t
f
t
d(在)
t
r
V
GS
= 10v, v
DD
= 15v, i
D
= 11a
测试 电路 和 波形
图示 15. unclamped 活力 测试 电路 图示 16. unclamped 活力 波形
t
P
V
GS
0.01
L
I
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARYt
P
至 获得
必需的 顶峰 i
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
t
AV
0
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