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LTC4006
sn4006 4006is
这
●
denotes 规格 这个 应用 在 这 全部 运行
温度 范围 (便条 4), 否则 规格 是 在 t
一个
= 25
°
c. v
DCIN
= 20v, v
BAT
= 12v 除非 否则 指出.
电的 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电流 comparators i
CMP
和 i
REV
I
TMAX
最大 电流 sense 门槛 (v
CSP
– v
BAT
)v
ITH
= 2.5v
●
140 165 200 mV
I
TREV
反转 电流 门槛 (v
CSP
– v
BAT
)–30mv
电流 sense 放大器, ca2
跨导 1 mmho
源 电流 量过的 在 i
TH
, v
ITH
= 1.4v – 40
µ
一个
下沉 电流 量过的 在 i
TH
, v
ITH
= 1.4v 40
µ
一个
电流 限制 放大器
跨导 1.5 mmho
V
CLP
电流 限制 门槛
●
93 100 107 mV
I
CLP
clp 输入 偏差 电流 100 nA
电压 错误 放大器, ea
跨导 1 mmho
下沉 电流 量过的 在 i
TH
, v
ITH
= 1.4v 36
µ
一个
OVSD 超（电）压 关闭 门槛 作 一个 百分比
●
102 107 110 %
的 编写程序 charger 电压
输入 p-频道 场效应晶体管 驱动器 (infet)
dcin 发现 门槛 (v
DCIN
– v
CLN
) dcin 电压 ramping 向上
●
0 0.17 0.25 V
从 v
CLN
– 0.1v
向前 规章制度 电压 (v
DCIN
– v
CLN
)
●
25 50 mV
反转 电压 转变-止 电压 (v
DCIN
– v
CLN
) dcin 电压 ramping 向下
●
–60 –25 mV
infet “on” 夹紧 电压 (v
DCIN
– v
INFET
)i
INFET
= 1
µ
一个
●
5 5.8 6.5 V
infet “off” 夹紧 电压 (v
DCIN
– v
INFET
)i
INFET
= –25
µ
一个 0.25 V
Thermistor
NTCVR 涉及 电压 在 样本 时间 4.5 V
高 门槛 V
NTC
Rising
●
NTCVR NTCVR NTCVR V
• 0.48 • 0.5 • 0.52
低 门槛 V
NTC
下落
●
NTCVR NTCVR NTCVR V
• 0.115 • 0.125 • 0.135
thermistor 使不能运转 电流 V
NTC
≤
10V 10
µ
一个
指示信号 输出 (acp/shdn, chg)
C10TOL c/10 指示信号 精度 电压 下落 在 prog
●
0.375 0.400 0.425 V
LBTOL lobat 门槛 精度 ltc4006-6
●
4.70 4.93 5.14 V
ltc4006-2
●
7.27 7.5 7.71 V
ltc4006-4
●
9.70 10 10.28 V
重新开始 门槛 精度 ltc4006-6
●
7.5 7.7 7.96 V
ltc4006-2
●
11.35 11.7 11.94 V
ltc4006-4
●
15.15 15.6 15.92 V
V
OL
低 逻辑 水平的 的 acp/shdn, chg I
OL
= 100
µ
一个
●
0.5 V
V
OH
高 逻辑 水平的 的 acp/shdn I
OH
= –1
µ
一个
●
2.7 V
I
PO
拉-向上 电流 在 acp/shdn v = 0v –10
µ
一个
IC10 c/10 指示信号 下沉 电流 从 chg V
OH
= 3v
●
15 25 38
µ
一个
I
止
止 状态 泄漏 电流 的 chg V
OH
= 3v –1 1
µ
一个
计时器 defeat 门槛 在 chg 1 V
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