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资料编号:357208
 
资料名称:GP350MHB06S
 
文件大小: 126.33K
   
说明
 
介绍:
Half Bridge IGBT Module
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
GP350MHB06S
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提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
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热的 和 机械的 比率
标识 情况
直流 接合面 至 情况 每 arm
o
c/kw70
最大值
-
最小值
参数 单位
R
th(j-c)
热的 阻抗 - 晶体管
T
stg
存储 温度 范围
晶体管
o
C150
125
-
- 40
R
th(c-h)
热的 阻抗 - 情况 至 散热器
(每 单元)
挂载 torque 5nm (和 挂载 grease) 15-
- 挂载 - m6 Nm5-
-
o
c/kw
T
j
接合面 温度
o
C
screw torque
二极管
o
C125-
电的 连接 - m6 Nm5-
热的 阻抗 - 二极管 直流 接合面 至 情况
o
c/kw160--
R
th(j-c)
V
CES
集电级-发射级 电压
-
直流, t
情况
= 25˚c
1ms, t
情况
= 25˚c
500
一个
测试 情况标识
I
C
门-发射级 电压
V
GE
= 0v 600
单位
V
±
20
1000
最大值参数
集电级 电流
1750最大 电源 消耗P
最大值
commoned terminals 至 根基 加设护板.
交流 rms, 1 最小值, 50hz
分开 电压V
isol
V
2500
V
V
GES
一个
I
c(pk)
w(晶体管)
直流, t
情况
= 75˚c 350
一个
1ms, t
情况
= 75˚c 一个700
绝对 最大 比率 - 每 arm
压力 在之上 那些 列表 下面 '绝对 最大 比率' 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 在 extreme
情况, 作 和 所有 半导体, 这个 将 包含 可能地 hazardous rupture 的 这 包装. 适合的 安全 precautions
应当 总是 是 followed. 暴露 至 绝对 最大 比率 将 影响 设备 可靠性.
T
情况
= 25˚c 除非 陈述 否则
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