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资料编号:357208
 
资料名称:GP350MHB06S
 
文件大小: 126.33K
   
说明
 
介绍:
Half Bridge IGBT Module
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
GP350MHB06S
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
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典型 特性
图.3 典型 输出 特性 图.4 典型 输出 特性
图.5 典型 转变-在 活力 vs 集电级 电流 图.6 典型 转变-在 活力 vs 集电级 电流
0
50
100
150
200
250
300
450
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
集电级-发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
c
- (一个)
V
ge
= 20/15/12/10v
一般 发射级
T
情况
= 125
˚
C
400
350
3.5
0 300 350100 150
集电级 电流, i
C
- (一个)
0
12
转变-在 活力, e
- (mj)
T
j
= 25
˚
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300v
一个: r
g
= 15
b: r
g
= 10
c: r
g
= 5
一个
B
C
18
20
14
16
2
8
10
4
6
200 25050
0 300 350100 150
集电级 电流, i
C
- (一个)
0
转变-在 活力, e
- (mj)
T
j
= 125
˚
C
V
GE
=
±
15V
V
CE
= 300v
一个: r
g
= 15
b: r
g
= 10
c: r
g
= 5
一个
B
C
40
45
30
35
5
20
25
10
15
200 25050
0
50
100
150
200
250
300
450
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
集电级-发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
c
- (一个)
V
ge
= 20/15/12/10v
一般 发射级
T
情况
= 25
˚
C
400
350
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