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GP400DDM12
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
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典型 特性
图. 3 典型 输出 特性 图. 4 典型 输出 特性
图. 5 典型 切换 活力 vs 集电级 电流 图. 6 典型 切换 活力 vs 门 阻抗
0
100
200
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0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
集电级-发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
C
- (一个)
V
ge
= 20/15/12/10v
一般 发射级
T
情况
= 25
˚
C
500
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0
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200
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800
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
集电级-发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
C
- (一个)
V
ge
= 20/15/12/10v
一般 发射级
T
情况
= 125
˚
C
500
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0
20
10
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40
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集电级 电流, i
C
- (一个)
切换 活力 - (mj)
E
止
E
在
情况:
V
ce
= 600v
T
c
= 125°c
R
g
= 4.7Ω
0
40
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140
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120
160
门 阻抗, r
g
- (ohms)
切换 活力, e
sw
- (mj)
0481216
情况:
V
ce
= 900v
I
C
= 400a
T
c
= 125
°
C
E
止
E
在

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GP400DDM12 提醒: 这个设备是敏感的至静电的释放. 用户应当 follow 静电释放处理程序. 5/9 www.dynexsemi.com 典型特性图. 3 典型输出特性图. 4 典型输出特性图. 5 典型切换活力 vs 集电级电流图. 6 典型切换活力 vs 门阻抗 0 100 200 300 600 700 800 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 集电级-发射级电压, v ce - (v) 集电级电流, i C - (一个) V ge = 20/15/12/10v 一般发射级 T 情况 = 25 ˚ C 500 400 0 100 200 300 600 700 800 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 集电级-发射级电压, v ce - (v) 集电级电流, i C - (一个) V ge = 20/15/12/10v 一般发射级 T 情况 = 125 ˚ C 500 400 0 20 10 30 40 50 60 70 80 90 0 100 200 300 400 500 集电级电流, i C - (一个) 切换活力 - (mj) E 止 E 在情况: V ce = 600v T c = 125°c R g = 4.7Ω 0 40 80 100 140 20 60 120 160 门阻抗, r g - (ohms) 切换活力, e sw - (mj) 0481216 情况: V ce = 900v I C = 400a T c = 125 ° C E 止 E 在

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