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资料编号:357227
 
资料名称:GP400DDM12
 
文件大小: 129.49K
   
说明
 
介绍:
Dual Switch IGBT Module Advance Information
 
 


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GP400DDM12
69
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
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图.7 二极管 典型 向前 特性 图.8 反转 偏差 safe 运行 范围
图.9 向前 偏差 safe 运行 范围 图.10 瞬时 热的 阻抗
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
向前 电压, v
F
- (v)
向前 电流, i
F
- (一个)
T
j
= 125
˚
C
T
j
= 25
˚
C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0 200 400
600
800
1000 1200
集电级-发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
C
- (一个)
T
情况
= 125
˚
C
V
ge
= ±15v
R
g
= 4.7Ω
*
*
推荐 最小 值
1
10
100
1000
10000
1 10 100 1000 10000
集电级-发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
C
- (一个)
t
p
= 50
µ
s
t
p
= 100
µ
s
I
C
毫安
x
. (单独的 脉冲波)
I
C
毫安
x
. 直流 (持续的)
t
p
= 1ms
0.1
1
10
100
1 10 1000100
10000
P
ulse 宽度, t
p
- (ms)
瞬时 热的 阻抗,
Z
th (j-c)
- (
°
c/
kW
)
二极管
晶体管
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