GT8G131
2003-03-18
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toshiba insulated 门 双极 晶体管 硅 n 频道 igbt
GT8G131
strobe flash 产品
有提供的 在 紧凑的 和 薄的 包装 需要 仅有的 一个 小
挂载 范围
4th 一代 (trench 门 结构) igbt
增强-模式
4-v 门 驱动 电压: v
GE
= 4.0 v (最小值) (@i
C
= 150 一个)
顶峰 集电级 电流: i
C
= 150 一个 (最大值)
最大 比率
(ta
25°c)
特性 标识 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
400 v
直流 v
GES
6
门-发射级 电压
脉冲波 v
GES
8
V
直流 i
C
8
集电级 电流
1 ms I
CP
150
一个
集电级 电源 消耗 (便条 1) P
C
1.1 w
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~150 °c
便条 1: 驱动 运作: 挂载 在 glass 环氧的 板 [1 inch
2
1.5 t]
这些 设备 是 mos 类型. 用户 应当 follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
运行 情况 的 转变-止 dv/dt 应当 是 更小的 比 400 v/
s.
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-6j1c
重量: 0.080 g (典型值.)
相等的 电路
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578 6
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