stth1302ct/cg/cfp
4/7
0
10
20
30
40
50
60
70
1.e-03 1.e-02 1.e-01 1.e+00
t(s)
T =25°C
C
T =75°C
C
T =125°C
C
I (一个)
M
I
M
t
δ
=0.5
图. 5-2:
非 repetitive surge 顶峰 向前 电流
相比 超载 持续时间 每 二极管
(至-220fpab).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10 100 1000
trr(ns)
Tj=25°C
T =125°C
j
I =6.5a
V =100V
F
R
dI /dt(一个/µs)
F
图. 9:
反转 恢复 时间 相比 dI
F
/dt (90%
信心, 每 二极管).
10
100
1 10 100 1000
V (v)
R
F=1MHz
V =30V
Tj=25°C
OSC RMS
c(nf)
图. 7:
接合面 电容 相比 反转
电压 应用 (典型 值, 每 二极管).
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 25 50 75 100 125 150 175
T (°c)
amb
Rth =Rth
(j-一个) (j-c)
d²pak (s=1cm²)
Rth =50°c/w
(j-一个)
至-220ab/d²pak
至-220fpab
I (一个)
f(av)
图. 6:
平均 向前 电流 相比 包围的 tem-
perature (
δ
=0.5, 每 二极管).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
10 100 1000
dI /dt(一个/µs)
F
Q (nc)
RR
I =6.5a
V =200V
F
R
T =125°C
j
Tj=25°C
图. 8:
反转 恢复 charges 相比 dI
F
/dt
(90% 信心, 每 二极管).
0
2
4
6
8
10
12
10 100 1000
I (一个)
RM
Tj=25°C
T =125°C
j
I =6.5a
V =100V
F
R
dI /dt(一个/µs)
F
图. 10:
反转 恢复 电流 相比 dI
F
/dt
(90% 信心, 每 二极管).
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