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资料编号:363225
 
资料名称:H2N6718V
 
文件大小: 39.16K
   
说明
 
介绍:
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he6616-b
issued 日期 : 1993.09.24
修订 日期 : 2000.12.01
页 非. : 2/4
hsmc 产品 规格
特性 曲线
电流 增益 &放大; 集电级 电流
10
100
1000
0.1 1 10 100 1000
集电级 电流 (毫安)
hFE
V
CE
=1V
饱和 电压 &放大; 集电级 电流
10
100
1000
0.1 1 10 100 1000
集电级 电流 (毫安)
饱和 电压 (mv)
V
ce(sat)
@ i
C
=10I
B
电容 &放大; 反转-片面的 电压
1
10
100
0.1 1 10 100 1000
反转 片面的 电压 (v)
电容 (pf)
Cob
截止 频率 &放大; 集电级 电流
10
100
1000
1 10 100 1000
集电级 电流 (毫安)
截止 频率 (mhz)
V
CE
=10V
safe 运行 范围
1
10
100
1000
10000
1 10 100 1000
向前 电压-v
CE
(v)
集电级 电流-i
C
(毫安)
P
T
=1 ms
P
T
=100 ms
P
T
=1 s
电源 减额
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0 20 40 60 80 100 120 140 160
包围的 temperature-ta(
o
c)
电源 消耗-pd(mw)
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