HA7-5102-2_集成电路资料查询网

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消逝 特性
消逝 维度:
95 毫英寸 x 99 毫英寸 x 19 毫英寸
2420
µ
m x 2530
µ
m x 483
µ
m
敷金属:
类型: al, 1% cu
厚度: 16k
Å
±
2k
Å
passivation:
类型: 渗氮 (si
3
N
4
) 在 silox (sio
2
, 5% phos.)
silox 厚度: 12k
Å
±
2k
Å
渗氮 厚度: 3.5k
Å
±
1.5k
Å
基质 潜在的 (powered 向上):
Unbiased
晶体管 计数:
175
处理:
双极 dielectric 分开
敷金属 掩饰 布局
ha-5104
ha-5114
+IN2 V+ +IN1
-in1
OUT1
OUT4
-in4
-in3
OUT3
OUT2
-in2
+IN4v-+IN3
+IN2 V+ +IN1
-in1
OUT1
OUT4
-in4
-in3
OUT3
OUT2
-in2
+IN4v-+IN3
ha-5102, ha-5104, ha-5114

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11 消逝特性消逝维度: 95 毫英寸 x 99 毫英寸 x 19 毫英寸 2420 µ m x 2530 µ m x 483 µ m 敷金属: 类型: al, 1% cu 厚度: 16k Å ± 2k Å passivation: 类型: 渗氮 (si 3 N 4 ) 在 silox (sio 2 , 5% phos.) silox 厚度: 12k Å ± 2k Å 渗氮厚度: 3.5k Å ± 1.5k Å 基质潜在的 (powered 向上): Unbiased 晶体管计数: 175 处理: 双极 dielectric 分开敷金属掩饰布局 ha-5104 ha-5114 +IN2 V+ +IN1 -in1 OUT1 OUT4 -in4 -in3 OUT3 OUT2 -in2 +IN4v-+IN3 +IN2 V+ +IN1 -in1 OUT1 OUT4 -in4 -in3 OUT3 OUT2 -in2 +IN4v-+IN3 ha-5102, ha-5104, ha-5114

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