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资料编号:367960
资料名称:
HAT2020R
文件大小: 51.52K
说明
:
介绍
:
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
: 点此下载
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2020R
5
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 trr (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
电容 c (pf)
流 至 源 电压 v (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
动态 输入 特性
流 电流 i (一个)
D
切换 时间 t (ns)
切换 特性
0.2
0.5
1
2
5
10
20
500
200
100
20
50
10
5
di/dt = 20 一个/µs
v = 0, ta = 25°c
GS
01020304050
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
v = 0
f = 1 mhz
GS
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
816243240
0
V
GS
V
DS
i = 8 一个
D
v = 5 v
10 v
25 v
DD
v = 25 v
10 v
5 v
DD
1000
200
500
100
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
v = 4 v, v = 10 v
pw = 3 µs, 职责 < 1 %
GS
DD
t
f
r
t
d(止)
t
d(在)
t
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