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资料编号:367978
 
资料名称:HAT2096H
 
文件大小: 94.11K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2096H
rev.2, 8月. 2002, 页 4 的 10
主要的 特性
频道 消耗 pch (w)
情况 温度 tc (
°
c)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
典型 转移 特性
50
40
30
20
10
0
246810
50
40
30
20
10
0
1234
5
tc = 75
°
C
25
°
C
-25
°
C
40
30
20
10
0
50 100 150 200
v = 10 v
脉冲波 测试
DS
v = 2.5 v
GS
10 v
4.5 v
3.5 v
脉冲波 测试
3 v
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
100
10
1
0.1
0.01
0.1
0.3 1 3 10 30 100
500
tc = 25
°
C
1 shot 脉冲波
pw = 10 ms
10
µ
s
100
µ
s
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
直流 运作
1 ms
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