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资料编号:367979
 
资料名称:HAT3008R
 
文件大小: 81.1K
   
说明
 
介绍:
Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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hat3008r/hat3008rj
3
电的 特性
(ta = 25
°
c)
( n 频道 )
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏 电压 V
(br)dss
60——V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏 电压 V
(br)gss
±
20 V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
16 v, v
DS
= 0
零 门 电压 HAT3008R I
DSS
——1
µ
AV
DS
= 60 v, v
GS
= 0
流 电流 HAT3008RJ I
DSS
0.1
µ
一个
零 门 电压 HAT3008R I
DSS
———
µ
AV
DS
= 48 v, v
GS
= 0
流 电流 HAT3008RJ I
DSS
——10
µ
一个 ta = 125
°
C
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
1.2 2.2 V V
DS
= 10 v,
I
D
= 1 毫安
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.043 0.058
I
D
= 3 一个, v
GS
= 10 v
Note4
阻抗 R
ds(在)
0.056 0.084
I
D
= 3 一个, v
GS
= 4 v
Note4
向前 转移 admittance |y
fs
|69—SI
D
= 3 一个, v
DS
= 10 v
Note4
输入 电容 Ciss 520 pF V
DS
= 10 v
输出 电容 Coss 270 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 100 pF f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
11 ns V
GS
=10 v, i
D
= 3 一个
上升 时间 t
r
40 ns V
DD
30 v
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
110 ns
下降 时间 t
f
—80—ns
body–drain 二极管 向前 电压 V
DF
0.84 1.1 V 如果 = 5 一个, v
GS
= 0
Note4
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
40 ns 如果 =5 一个, v
GS
= 0
dif/ dt = 50 一个/
µ
s
便条: 5. 脉冲波 测试
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