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资料编号:367997
 
资料名称:HAT1043
 
文件大小: 50K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT1043M
3
主要的 特性
2.0
1.5
1.0
0
50 100 150 200
-0.1 -0.3 -1
-3
-10
-30
-100
-10
-8
-6
-4
-2
0
-2 -4 -6 -8 -10
频道 消耗 pch (w)
包围的 温度 ta (
°
c)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
典型 转移 特性
-100
-30
-10
-3
-1
-0.1
-0.03
-0.01
-0.3
10
µ
s
1 ms
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
pw = 10 ms (1 shot)
-2 v
0.5
v = -1.5 v
GS
-3 v
-10 v
-10
-8
-6
-4
-2
0
-1 -2 -3 -4 -5
tc = –25
°
C
25
°
C
75
°
C
v = -10 v
脉冲波 测试
DS
脉冲波 测试
-2.5 v
-4 v
直流 运作 (pw
5s)
Note1
ta = 25
°
C
1 shot 脉冲波
便条 1 当 使用 这 alumina 陶瓷的 板
( 50x50x0.7mm)
测试 情况
当 使用 这 alumina 陶瓷的 板
(50x50x0.7mm),(pw
5s)
100
µ
s
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