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资料编号:368445
 
资料名称:HB54A2568KN
 
文件大小: 514.62K
   
说明
 
介绍:
256MB DDR SDRAM S.O.DIMM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hb54a2568kn-a75b/b75b/10b
初步的 数据 薄板 e0148h20 (ver. 2.0)
13
直流 特性 1 (ta = 0 至 65°c, vcc, vccq = 2.5v ± 0.2v, vss = 0v)
参数 标识 等级 最大值 单位 测试 情况 注释
运行 电流 (actv-前) ICC0
-a75b
-b75b
-10b
600
560
480
毫安 cke
vih, trc = 最小值 1, 2, 5
运行 电流 (actv-读-前) ICC1
-a75b
-b75b
-10b
820
760
680
毫安
CKE
vih, bl = 2,
cl = 2.5, trc = 最小值
1, 2, 5
空闲 电源 向下 备用物品 电流 ICC2P
-a75b
-b75b
-10b
144
120
96
毫安 cke
VIL 4
空闲 备用物品 电流 ICC2N
-a75b
-b75b
-10b
320
280
240
毫安 cke
vih, /cs
VIH 4
起作用的 电源 向下 备用物品 电流 ICC3P
-a75b
-b75b
-10b
200
160
120
毫安 cke
VIL 3
起作用的 备用物品 电流 ICC3N
-a75b
-b75b
-10b
400
360
320
毫安
CKE
vih, /cs
VIH
tras = 最大值
3
运行 电流
(burst 读 运作)
ICC4R
-a75b
-b75b
-10b
1220
1160
1100
毫安
CKE
vih, bl = 2,
cl = 2.5
1, 2, 5, 6
运行 电流
(burst 写 运作)
ICC4W
-a75b
-b75b
-10b
1160
1100
1040
毫安
CKE
vih, bl = 2,
cl = 2.5
1, 2, 5, 6
自动 refresh 电流 ICC5
-a75b
-b75b
-10b
1020
980
880
毫安
trfc = 最小值.,
输入
vil 或者
VIH
自 refresh 电流 ICC6 24 毫安
输入
vcc – 0.2v
输入
0.2v.
注释. 1. 这些 icc 数据 是 量过的 下面 情况 那 dq 管脚 是 不 连接.
2. 一个 bank 运作.
3. 一个 bank 起作用的.
4. 所有 banks 空闲.
5. command/地址 转变 once 每 一个 循环.
6. 数据/数据 掩饰 转变 两次 每 一个 循环.
7. 这 icc 数据 在 这个 表格 是 量过的 和 关于 至 tck = 最小值 在 一般.
直流 特性 2 (ta = 0 至 65°c, vcc, vccq = 2.5v ± 0.2v, vss = 0v)
参数 标识 最小值 最大值 单位 测试 情况 注释
输入 泄漏 电流 ILI –10 10 µA VCC
VIN
VSS
输出 泄漏 电流 ILO –10 10 µA VCC
VOUT
VSS
输出 高 电压 VOH vtt + 0.76 V ioh (最大值.) = –15.2ma
输出 低 电压 VOL vtt – 0.76 V iol (最小值.) = 15.2ma
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