54
所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
Intersil 半导体 产品 是 出售 用 描述 仅有的. Intersil 公司 reserves 这 正确的 至 制造 改变 在 电路 设计 和/或者 规格 在 任何 时间 和-
输出 注意. accordingly, 这 reader 是 cautioned 至 核实 那 数据 薄板 是 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 用 Intersil 是 相信 至 是 精确 和
可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 Intersil 或者 它的 附属机构 为 它的 使用; 也不 为 任何 infringements 的 专利权 或者 其它 权利 的 第三 部 这个 将 结果
从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 intersil 或者 它的 附属机构.
为 信息 关于 intersil 公司 和 它的 产品, 看 网 站点
http://www.intersil.com
逻辑 图解
hc-5502b 逻辑 门 图式
超（电）压 保护 和 纵向的
电流 保护
这 SLIC 设备, 在 conjunction 和 一个 外部 保护
桥, 将 承受 高 电压 lightning surges 和
电源 线条 crosses.
高 电压 surge 情况 是 作 specified 在 表格 1.
这 SLIC 将 承受 纵向的 电流 向上 至 一个
最大 或者 30marms, 15mARMS 每 leg, 没有 任何
效能 降级.
接转
驱动器
GKDSHDRD
C2
PDRCRS
15
延迟
逻辑 偏差
一个
B
C
一个
B
C
TTL
至
STTL
至
R
21
GK
SH
肖特基 逻辑
TTL
至
STTL
TTL
至
STTL
TTL
至
STTL
TTL
至
STTL
1 2
16
4
5
6
7
8
9
12
3
13
14
11
15
10
表格 1.
参数
测试
情况
效能
(最大值) 单位
纵向的
Surge
10
µ
s 上升/
±
1000 (塑料) V
顶峰
1000
µ
s 下降
±
500 (陶瓷的) V
顶峰
metallic surge 10
µ
s 上升/
±
1000 (塑料) V
顶峰
1000
µ
s 下降
±
500 (陶瓷的) V
顶峰
t/地 10
µ
s 上升/
±
1000 (塑料) V
顶峰
r/地 1000
µ
s 下降
±
500 (陶瓷的) V
顶峰
50/60hz 电流
t/地 11 循环 700 (塑料) V
RMS
r/地 限制 至
10A
RMS
350 (陶瓷的) V
RMS
hc-5502b
: 点此下载
