STS2DPFS20V
2/8
termal 数据
(*)
当 挂载 在 1 inch
2
fr-4 板, 2 oz 的 cu 和 t
[
10 秒
电的 特性
(t
情况
= 25 °c 除非 否则 指定)
止
在
(1
)
schottcky 静态的 电的 特性
动态
rthj-amb
rthj-amb
T
stg
T
j
(*)
热的 阻抗 接合面-包围的 场效应晶体管
(*)
热的 阻抗 接合面-包围的 肖特基
存储 温度 范围
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的
最大值
62.5
100
-55 至 150
150
o
c/w
o
c/w
o
C
o
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源
损坏 电压
I
D
= 250 µa, v
GS
= 0
20 V
I
DSS
零 门 电压
流 电流 (v
GS
= 0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率 T
C
= 125°c
1
10
µA
µA
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
= 0)
V
GS
= ± 12 v
±100 nA
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
I
D
= 250 µa
0.6 V
R
ds(在)
静态的 流-源 在
阻抗
V
GS
= 4.5 v I
D
= 1 一个
V
GS
= 2.7 v I
D
= 1 一个
0.14
0.20
0.20
0.25
Ω
Ω
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
R
(*)
使反转 泄漏 电流
T
J
= 25
o
C V
R
= 30 v
T
J
= 125
o
C V
R
= 30 v
30
0.2
100
毫安
毫安
V
F
(*)
向前 电压 漏出
T
J
= 25
o
C I
F
= 3 一个
T
J
= 125
o
c i
F
= 3 一个
0.40
0.51
0.46
毫安
毫安
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(*)
向前 跨导
V
DS
= 15 v I
D
=1 一个
4S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
= 15v, f = 1 mhz, v
GS
= 0
315
87
17
pF
pF
pF