2mbi200nb-120-01
igbt 单元
1200v / 200a 2 在 一个-包装
特性
· vce(sat) classified 为 容易 并行的 连接
· 高 速 切换
· 电压 驱动
· 低 电感 单元 结构
产品
· 反相器 为 发动机 驱动
· 交流 和 直流 伺服 驱动 放大器
· uninterruptible 电源 供应
· 工业的 machines, 此类 作 welding machines
最大 比率 和 特性
绝对 最大 比率
(在 tc=25°c除非 否则 指定)
Item
标识
集电级-发射级 电压 v
CES
门-发射级 电压 v
GES
集电级 持续的 i
C
电流 1ms i
C
脉冲波
-i
C
1ms -i
C
脉冲波
最大值 电源 消耗 p
C
运行 温度 t
j
存储 温度 t
stg
分开 电压 v
是
screw torque 挂载 *
1
terminals *
2
比率
1200
±20
200
400
200
400
1500
+150
-40 至 +125
交流 2500 (1min.)
3.5
4.5
单位
V
V
一个
一个
一个
一个
W
°C
°C
V
N·m
N·m
item 标识 特性 情况 单位
最小值 典型值 最大值
零 门 电压 集电级 电流
门-发射级 泄漏 电流
门-发射级 门槛 电压
集电级-发射级 饱和 电压
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 时间
转变-止 时间
二极管 向前 在 电压
反转 恢复 时间
I
CES
I
GES
V
ge(th)
V
ce(sat)
C
ies
C
oes
C
res
t
在
t
r
t
止
t
f
V
F
t
rr
– – 2.0
– – 30
4.5 – 7.5
– – 3.3
– 32000 –
– 11600 –
– 10320 –
– 0.65 1.2
– 0.25 0.6
– 0.85 1.5
– 0.35 0.5
– – 3.0
– – 0.35
V
GE
=0v, v
CE
=1200V
V
CE
=0v, v
GE
=±20V
V
CE
=20v, i
C
=200mA
V
GE
=15v, i
C
=200A
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
R
G
=4.7ohm
I
F
=200a, v
GE
=0V
I
F
=200A
毫安
µA
V
V
pF
µs
V
µs
电的 特性(在 tj=25°c 除非否则 指定)
热的 阻抗 特性
item 标识 特性 情况 单位
最小值 典型值 最大值
rth(j-c)
热的 阻抗 rth(j-c)
rth(c-f)*
– – 0.085
– – 0.18
– 0.025 –
IGBT
二极管
这 根基 至 冷却 fin
°c/w
°c/w
°c/w
* :
这个 是 这 值 这个 是 定义 挂载 在 这 额外的 冷却 fin 和 热的 复合
相等的 电路 图式
¤ 电流 控制 电路
g1 e1 g2 e2
C1
E2
C2E1
¤
¤
*
1 :
recommendable 值 : 2.5 至 3.5 n·m (m5) 或者 (m6)
*
2 :
recommendable 值 : 3.5 至 4.5 n·m (m6)
V
ce(sat)
分类
分级 lenge 情况
f 2.25 至 2.50v
一个 2.40 至 2.65v ic = 200a
b 2.55 至 2.80v v
GE
= 15v
c 2.70 至 2.95v tj = 25°c
d 2.85 至 3.10v
e 3.00 至 3.30v
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