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根基-至-发射级 电容 V
是
= -3v - 200 - - 500 - fF
集电级-至-根基 电容 V
CB
= 3v - 200 - - 500 - fF
电的 specifications
T
一个
= 25
o
C
(持续)
参数 测试 情况
消逝 SOIC
UNITSMIN 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
电的 specifications
T
一个
= 25
o
C
参数 测试 情况
消逝 SOIC
UNITSMIN 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
直流 pnp 特性
集电级-至-根基 损坏
电压, v
(br)cbo
I
C
= -100
µ
一个, i
E
= 0 1015-1015- V
集电级-至-发射级 损坏
电压, v
(br)ceo
I
C
= -100
µ
一个, i
B
= 0 8 15 - 8 15 - V
集电级-至-发射级 损坏
电压, v
(br)ces
I
C
= -100
µ
一个, 根基 短接 至 发射级 10 15 - 10 15 - V
发射级-至-根基 损坏
电压, v
(br)ebo
I
E
= -10
µ
一个, i
C
= 0 4.5 5 - 4.5 5 - V
集电级-截止-电流, i
CEO
V
CE
= -6v, i
B
= 0 - 2 100 - 2 100 nA
集电级-截止-电流, i
CBO
V
CB
= -8v, i
E
= 0 - 0.1 10 - 0.1 10 nA
集电级-至-发射级 饱和
电压, v
ce(sat)
I
C
= -10ma, i
B
= -1ma - 0.3 0.5 - 0.3 0.5 V
根基-至-发射级 电压, v
是
I
C
= -10ma - 0.85 0.95 - 0.85 0.95 V
直流 向前-电流 转移
比率, h
FE
I
C
= -10ma, v
CE
= -2v 20 60 - 20 60 -
early 电压, v
一个
I
C
= -1ma, v
CE
= -3.5v 10 20 - 10 20 - V
根基-至-发射级 电压 逐渐变化 I
C
= -10ma - -1.5 - - -1.5 - mv/
o
C
集电级-至-集电级 泄漏 - 1 - - 1 - pA
电的 specifications
T
一个
= 25
o
C
参数 测试 情况
消逝 SOIC
UNITSMIN 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
动态 pnp 特性
噪音 图示 f = 1.0ghz, v
CE
= -5v,
I
C
= -5ma, z
S
= 50
Ω
- 3.5 - - 3.5 - dB
f
T
电流 增益-带宽
产品
I
C
= -1ma, v
CE
= -5v - 2 - - 2 - GHz
I
C
= -10ma, v
CE
= -5v - 5.5 - - 5.5 - GHz
电源 增益-带宽
产品
I
C
= -10ma, v
CE
= -5v - 3 - - 2 - GHz
根基-至-发射级 电容 V
是
= 3v - 200 - - 500 - fF
集电级-至-根基 电容 V
CB
= -3v - 300 - - 600 - fF
hfa3046, hfa3096, hfa3127, hfa3128
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