©2003 仙童 半导体 公司 hgt1s7n60a4s9a, hgtg7n60a4, hgtp7n60a4 rev. b1
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
所有 类型 单位
集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . bV
CES
600 V
集电级 电流 持续的
在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C25
34 一个
在 t
C
= 110
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C110
14 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
56 一个
门 至 发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V
GES
±
20 V
门 至 发射级 电压 搏动. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GEM
±
30 V
切换 safe 运行 范围 在 t
J
= 150
o
c, 图示 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .SSOA 35a 在 600v
单独的 脉冲波 avalanche 活力 在 t
C
= 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
作
25mj 在 7a
电源 消耗 总的 在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
125 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0 w/
o
C
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
L
包装 身体 为 10s, 看 tech brief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
PKG
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “device 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
电的 规格
T
J
= 25
o
c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0v 600 - - V
发射级 至 集电级 损坏 电压 BV
ECS
I
C
= -10ma, v
GE
= 0v 20 - - V
集电级 至 发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= 600v T
J
= 25
o
C - - 250
µ
一个
T
J
= 125
o
c--2ma
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 7a,
V
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c-1.92.7v
T
J
= 125
o
c-1.62.2v
门 至 发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= 600v 4.5 5.9 7.0 V
门 至 发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20V - -
±
250 nA
切换 soa SSOA T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
Ω,
V
GE
= 15v
l = 100
µ
h, v
CE
= 600v
35 - - 一个
搏动 avalanche 活力 E
作
I
CE
= 7a, l = 500
µ
h25--mj
门 至 发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= 7a, v
CE
= 300v - 9.0 - V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= 7a,
V
CE
= 300v
V
GE
= 15v - 37 45 nC
V
GE
= 20v - 48 60 nC
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 25
o
C
I
CE
= 7a
V
CE
= 390v
V
GE
= 15v
R
G
= 25
Ω
l = 1mh
测试 电路 (图示 20)
-11 - ns
电流 上升 时间 t
rI
-11 - ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 100 - ns
电流 下降 时间 t
fI
-45 - ns
转变-在 活力 (便条 2) E
ON1
-55 -
µ
J
转变-在 活力 (便条 2) E
ON2
- 120 150
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
止
-6075
µ
J
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