©2003 仙童 半导体 公司 hgt1s7n60a4s9a, hgtg7n60a4, hgtp7n60a4 rev. b1
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 125
o
C
I
CE
= 7a
V
CE
= 390v
V
GE
= 15v
R
G
= 25
Ω
l = 1mh
测试 电路 (图示 20)
-10 - ns
电流 上升 时间 t
rI
-7 - ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 130 150 ns
电流 下降 时间 t
fI
-7585ns
转变-在 活力 (便条 2) E
ON1
-50 -
µ
J
转变-在 活力 (便条 2) E
ON2
- 200 215
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
止
- 125 170
µ
J
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
--1.0
o
c/w
注释:
2. 值 为 二 转变-在 丧失 情况 是 显示 为 这 convenience 的 这 电路 设计者. e
ON1
是 这 转变-在 丧失 的 这 igbt 仅有的. e
ON2
是 这 转变-在 丧失 当 一个 典型 二极管 是 使用 在 这 测试 电路 和 这 二极管 是 在 这 一样 t
J
作 这 igbt. 这 二极管 类型 是 指定 在
图示 20.
3. 转变-止 活力 丧失 (e
止
) 是 定义 作 这 integral 的 这 instantaneous 电源 丧失 开始 在 这 trailing 边缘 的 这 输入 脉冲波 和 ending
在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 所有 设备 是 测试 每 电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 为 度量
的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失.
电的 规格
T
J
= 25
o
c, 除非 否则 指定
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
典型 效能 曲线
除非 否则 指定
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
图示 3. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
10
0
30
20
25
25 75 100 125 150
35
V
GE
= 15v
15
5
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
700
20
0
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
300 400200100 500 600
0
30
10
40
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
Ω
, v
GE
= 15v, l = 100
µ
H
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
1
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
30
200
20510
500
T
J
= 125
o
c, r
G
= 25
Ω
, l = 2mh, v
CE
= 390v
100
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 1.0
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
止
)
T
C
V
GE
15V
75
o
C
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
10
11 12 15
4
6
14
20
80
100
14016
13 14
8
10
12
40
60
120
V
CE
= 390v, r
G
= 25
Ω
, t
J
= 125
o
C
t
SC
I
SC
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