©2003 仙童 半导体 公司 hgt1s7n60a4s9a, hgtg7n60a4, hgtp7n60a4 rev. b1
图示 17. 电容 vs 集电级 至 发射级
VOLTAGE
图示 18. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
vs 门 至 发射级 电压
图示 19. igbt normalized 瞬时 热的 回馈, 接合面 至 情况
测试 电路 和 波形
图示 20. inductive 切换 测试 电路 图示 21. 切换 测试 波形
典型 效能 曲线
除非 否则 指定
(持续)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
c, 电容 (nf)
0 20406080100
0
0.2
0.6
0.8
1.4
0.4
频率 = 1mhz
C
IES
C
OES
C
RES
1.2
1.0
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
9
1.8
10 12
2.0
2.4
2.2
11 13 14 15 16
2.6
2.8
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
= 14a
I
CE
= 7a
I
CE
= 3.5a
职责 循环 < 0.5%, t
J
= 25
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s,
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
Z
θ
JC
, normalized 热的 回馈
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
t
1
t
2
P
D
职责 因素, d = t
1
/ t
2
顶峰 t
J
= (p
D
x z
θ
JC
x r
θ
JC
) + t
C
单独的 脉冲波
0.1
0.2
0.5
0.05
0.01
0.02
R
G
= 25
Ω
l = 1mh
V
DD
= 390v
+
-
RHRP660
t
fI
t
d(止)i
t
rI
t
d(在)i
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
止
E
ON2
hgt1s7n60a4s9a, hgtg7n60a4, hgtp7n60a4