2
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
HGTG30N60B3 单位
集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .bv
CES
600 V
集电级 电流 持续的
在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C25
60 一个
在 t
C
= 110
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C110
30 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
220 一个
门 至 发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GES
±
20 V
门 至 发射级 电压 搏动. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GEM
±
30 V
切换 safe 运行 范围 在 t
J
= 150
o
c (图示 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA 60a 在 600v
电源 消耗 总的 在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
208 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67 w/
o
C
反转 电压 avalanche 活力. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
ARV
100 mJ
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 为 焊接. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
260
o
C
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 12v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
4
µ
s
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 10v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
10
µ
s
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2. V
ce(pk)
= 360v, t
J
= 125
o
c, r
G
= 3
Ω.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0v 600 - - V
发射级 至 集电级 损坏 电压 BV
ECS
I
C
= 10ma, v
GE
= 0v 15 28 - V
集电级 至 发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= bv
CES
T
C
= 25
o
C - - 250
µ
一个
T
C
= 150
o
C - - 3.0 毫安
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= i
C110
,
V
GE
= 15v
T
C
= 25
o
C - 1.45 1.9 V
T
C
= 150
o
C - 1.7 2.1 V
门 至 发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
4.5 5.0 6.0 V
门 至 发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20V - -
±
250 nA
切换 soa SSOA T
J
= 150
o
c,
R
G
= 3
Ω,
V
GE
= 15v
l = 100
µ
h,
V
ce (pk)
= 480v 200 - - 一个
V
ce (pk)
= 600v 60 - - 一个
门 至 发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= i
C110
, v
CE
= 0.5 bv
CES
- 7.2 - V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= i
C110
,
V
CE
= 0.5 bv
CES
V
GE
= 15v - 170 190 nC
V
GE
= 20v - 230 250 nC
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 25
o
C
I
CE
= i
C110
V
CE
= 0.8 bv
CES
V
GE
= 15v
R
G
= 3
Ω
l = 1mh
测试 电路 (图示 17)
-36 - ns
电流 上升 时间 t
rI
-25 - ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 137 - ns
电流 下降 时间 t
fI
-58 - ns
转变-在 活力 (便条 4) E
ON1
- 500 -
µ
J
转变-在 活力 (便条 4) E
ON2
- 550 800
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
止
- 680 900
µ
J
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