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资料编号:377139
 
资料名称:HGTP1N120BND
 
文件大小: 75.75K
   
说明
 
介绍:
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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4
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 9. 转变-在 延迟 时间 vs 集电级
发射级 电流
图示 10. 转变-在 上升 时间 vs 集电级
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
024
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
2
4
6
6810
1
3
5
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 13v
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -55
o
C
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
2
3
4
0246810
1
6
0
5
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
E
, 转变-在 活力 丧失 (
µ
j)
1000
600
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
800
400
200
1.5120.5
1200
2.5
0
3
R
G
= 82
, l = 4mh, v
CE
= 960v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 13v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 13v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
, 转变-止 活力 丧失 (
µ
j)
0
1 1.5 20.5
50
150
100
200
250
2.5 3
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 13v 或者 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 13v 或者 15v
R
G
= 82
, l = 4mh, v
CE
= 960v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
10 1.5 2 2.5 3
t
d(在)i
, 转变-在 延迟 时间 (ns)
8
12
20
16
24
R
G
= 82
, l = 4mh, v
CE
= 960v
T
J
V
GE
25
o
C
13V
150
o
C
13V
25
o
C 15V
150
o
C 15V
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
rI
, 上升 时间 (ns)
1
4
8
24
20
12
20.5
16
1.5 2.5
28
3
R
G
= 82
, l = 4mh, v
CE
= 960v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 150
o
c, v
GE
= 13v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 150
o
c, v
GE
= 15v
hgtp1n120bnd, hgt1s1n120bnds
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