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资料编号:377149
 
资料名称:HGTG12N60A4
 
文件大小: 115.04K
   
说明
 
介绍:
600V, SMPS Series N-Channel IGBT
 
 


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4
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs
集电级 至 发射级 电流
图示 9. 转变-在 延迟 时间 vs 集电级
发射级 电流
图示 10. 转变-在 上升 时间 vs 集电级
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
0 0.5 1.0
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
4
8
1.5 2 2.5
16
20
12
T
J
= 125
o
C
T
J
= 150
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 12v
24
T
J
= 25
o
C
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
0 0.5 1.0 1.5 2 2.5
4
8
16
12
20
24
0
E
ON2
, 转变-在 活力 丧失 (
µ
j)
500
300
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
400
200
600
0
700
64 10121416818202224
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
R
G
= 10
,l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
100
2
300
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
, 转变-止 活力 丧失 (
µ
j)
0
50
200
100
250
350
400
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
150
642 101214168 18202224
R
G
= 10
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(在)i
, 转变-在 延迟 时间 (ns)
10
11
12
13
14
15
642 101214168 18202224
16
17
18
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v
R
G
= 10
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
rI
, 上升 时间 (ns)
0
4
16
12
8
642 101214168 18202224
20
32
28
24
R
G
= 10
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
T
J
= 125
o
c, 或者 t
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v
T
J
= 25
o
c 或者 t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
hgtp12n60a4, hgtg12n60a4, hgt1s12n60a4s
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