HGTG30N60A4_集成电路资料查询网

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图示 17. 电容 vs 集电级 至 发射级
电压
图示 18. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
vs 门 至 发射级 电压
图示 19. igbt normalized 瞬时 热的 回馈, 接合面 至 情况
测试 电路 和 波形
图示 20. inductive 切换 测试 电路 图示 21. 切换 测试 波形
典型 效能 曲线
除非 否则 speciﬁed
(持续)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
c, 电容 (nf)
C
RES
0 5 10 15 20 25
0
2
6
8
10
4
频率 = 1mhz
C
OES
C
IES
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
9
1.7
12
1.8
2.0
1.9
11 13 14 15 16
2.1
2.3
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
= 60a
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s, t
J
= 25
o
C
I
CE
= 30a
I
CE
= 15a
2.2
10
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
Z
θ
JC
, normalized 热的 回馈
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.10
t
1
t
2
P
D
职责 因素, d = t
1
/ t
2
顶峰 t
J
= (p
D
x z
θ
JC
x r
θ
JC
) + t
C
单独的 脉冲波
0.50
0.20
0.05
0.02
0.01
R
G
= 3
Ω
l = 200
µ
H
V
DD
= 390v
+
-
HGTP30N60A4D
二极管 ta49373
t
fI
t
d(止)i
t
rI
t
d(在)i
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
止
E
ON2
HGTG30N60A4

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6 图示 17. 电容 vs 集电级至发射级电压图示 18. 集电级至发射级在-状态电压 vs 门至发射级电压图示 19. igbt normalized 瞬时热的回馈, 接合面至情况测试电路和波形图示 20. inductive 切换测试电路图示 21. 切换测试波形典型效能曲线除非否则 speciﬁed (持续) V CE , 集电级至发射级电压 (v) c, 电容 (nf) C RES 0 5 10 15 20 25 0 2 6 8 10 4 频率 = 1mhz C OES C IES V GE , 门至发射级电压 (v) 9 1.7 12 1.8 2.0 1.9 11 13 14 15 16 2.1 2.3 V CE , 集电级至发射级电压 (v) I CE = 60a 职责循环 < 0.5%, v GE = 15v 脉冲波持续时间 = 250 µ s, t J = 25 o C I CE = 30a I CE = 15a 2.2 10 t 1 , rectangular 脉冲波持续时间 (s) Z θ JC , normalized 热的回馈 10 -2 10 -1 10 0 10 -5 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 -4 0.10 t 1 t 2 P D 职责因素, d = t 1 / t 2 顶峰 t J = (p D x z θ JC x r θ JC ) + t C 单独的脉冲波 0.50 0.20 0.05 0.02 0.01 R G = 3 Ω l = 200 µ H V DD = 390v + - HGTP30N60A4D 二极管 ta49373 t fI t d(止)i t rI t d(在)i 10% 90% 10% 90% V CE I CE V GE E 止 E ON2 HGTG30N60A4

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