©2001 仙童 半导体 公司 hgtg12n60c3d rev. b
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
HGTG12N60C3D 单位
集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .BV
CES
600 V
集电级 电流 持续的
在 t
C
= 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C25
24 一个
在 t
C
= 110
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C110
12 一个
平均 二极管 向前 电流 在 110
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .i
(avg)
15 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
96 一个
门 至 发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GES
±
20 V
门 至 发射级 电压 搏动 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
GEM
±
30 V
切换 safe 运行 范围 在 t
J
= 150
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA 24a 在 600v
电源 消耗 总的 在 t
C
= 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
104 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83 w/
o
C
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
J
, t
STG
-40 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 为 焊接 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
260
o
C
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 15v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
4
µ
s
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 10v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
13
µ
s
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2. V
ce(pk)
= 360v, t
J
= 125
o
c, r
G
= 25
Ω.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0v 600 - - V
发射级 至 集电级 损坏 电压 BV
ECS
I
C
= 10ma, v
GE
= 0v 15 25 - V
集电级 至 发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= bv
CES
T
C
= 25
o
C - - 250
µ
一个
V
CE
= bv
CES
T
C
= 150
o
C - - 2.0 毫安
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= i
C110
,
V
GE
= 15v
T
C
= 25
o
C - 1.65 2.0 V
T
C
= 150
o
C - 1.85 2.2 V
I
C
= 15a,
V
GE
= 15v
T
C
= 25
o
C - 1.80 2.2 V
T
C
= 150
o
C - 2.0 2.4 V
门 至 发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个,
V
CE
= v
GE
T
C
= 25
o
C 3.0 5.0 6.0 V
门 至 发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20V - -
±
100 nA
切换 soa SSOA T
J
= 150
o
c,
V
GE
= 15v,
R
G
= 25
Ω,
l = 100
µ
H
V
ce(pk)
= 480v 80 - - 一个
V
ce(pk)
= 600v 24 - - 一个
门 至 发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= i
C110
, v
CE
= 0.5 bv
CES
- 7.6 - V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= i
C110
,
V
CE
= 0.5 bv
CES
V
GE
= 15v - 48 55 nC
V
GE
= 20v - 62 71 nC
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
T
J
= 150
o
c,
I
CE
= i
c110,
V
ce(pk)
= 0.8 bv
ces,
V
GE
= 15v,
R
G
= 25
Ω,
l = 100
µ
H
-14-ns
电流 上升 时间 t
rI
-16-ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 270 400 ns
电流 下降 时间 t
fI
- 210 275 ns
转变-在 活力 E
在
- 380 -
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
止
- 900 -
µ
J
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 12a - 1.7 2.0 V
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