©2001 仙童 半导体 公司 hgtg12n60c3d rev. b
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
EC
= 12a, di
EC
/dt = 100a/
µ
s - 34 42 ns
I
EC
= 1.0a, di
EC
/dt = 100a/
µ
s - 30 37 ns
热的 阻抗 R
θ
JC
IGBT - - 1.2
o
c/w
二极管 - - 1.5
o
c/w
便条:
3. 转变-止 活力 丧失 (e
止
) 是 定义 作 这 integral 的 这 instantaneous 电源 丧失 开始 在 这 trailing 边缘 的 这 输入 脉冲波, 和 ending
在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 这 hgtg12n60c3d 是 测试 每 电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 为
度量 的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失. turn-on losses 包含
二极管 losses.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
典型 效能 曲线
图示 1. 转移 特性 图示 2. 饱和 特性
图示 3. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 4. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
6 8 10 12
0
10
20
40
50
60
70
14
30
80
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 <0.5%, v
CE
= 10v
4
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s, 职责 循环 <0.5%, t
C
= 25
o
C
0
0246810
10
20
30
12.0v
8.5v
9.0v
8.0v
7.5v
7.0v
V
GE
= 15.0v
40
50
60
70
80
10.0v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
30
012345
40
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 10v
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
10
20
50
70
80
60
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
30
012345
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
T
C
= 150
o
C
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
10
20
40
50
60
70
80
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