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资料编号:377187
 
资料名称:HGTG12N60C3D
 
文件大小: 98.21K
   
说明
 
介绍:
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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©2001 仙童 半导体 公司 hgtg12n60c3d rev. b
温度
图示 6. 短的 电路 承受 时间
图示 7. 转变-在 延迟 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 8. 转变-止 延迟 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 9. 转变-在 上升 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 10. 转变-止 下降 时间 vs 集电级 至
发射级 电流
典型 效能 曲线
(持续)
25 50 75 100 125 150
0
5
10
15
20
25
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
V
GE
= 15v
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流(一个)
20
60
80
120
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
10 11 12
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
14 1513
140
100
40
I
SC
t
SC
5
10
15
20
V
CE
= 360v, r
G
= 25
, t
J
= 125
o
C
t
d(在)i
, 转变-在延迟 时间(ns)
10
20
30
5101520
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
100
25 30
50
V
GE
= 10v
V
GE
= 15v
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
, l = 100
µ
h, v
ce(pk)
= 480v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(止)i
, 转变-止延迟 时间(ns)
400
300
200
100
51015202530
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
, l = 100mh, v
ce(pk)
= 480v
V
GE
= 10v
V
GE
= 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
rI
, 转变-在 上升 时间 (ns)
5
10
100
51015202530
V
GE
= 15v
200
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
, l = 100
µ
h, v
ce(pk)
= 480v
V
GE
= 10v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
fI
, 下降 时间 (ns)
100
5 1015202530
200
300
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
, l = 100
µ
h, v
ce(pk)
= 480v
V
GE
= 10v 或者 15v
90
80
HGTG12N60C3D
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