©2001 仙童 半导体 公司 hgtg12n60c3d rev. b
图示 11. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 12. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 13. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 14. 切换 safe 运行 范围
图示 15. 电容 vs 集电级 至 发射级
VOLTAGE
图示 16. 门 承担 波形
典型 效能 曲线
(持续)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
5101520
E
在
, 转变-在活力丧失 (mj)
V
GE
= 15v
0.5
1.0
1.5
2.0
25 30
V
GE
= 10v
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
Ω
, l = 100
µ
h, v
ce(pk)
= 480v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
止
, 转变-止活力丧失 (mj)
510 15202530
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
T
J
= 150
o
c, r
G
= 25
Ω
, l = 100
µ
h, v
ce(pk)
= 480v
V
GE
= 10v 或者 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
5102030
10
100
200
1
f
MAX2
= (p
D
- p
C
)/(e
在
+ e
止
)
P
D
= 容许的 消耗
P
C
= 传导 消耗
f
MAX1
= 0.05/(t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
(职责 因素 = 50%)
R
θ
JC
=
1.2
o
c/w
T
J
= 150
o
c, t
C
= 75
o
C
R
G
= 25
Ω
, l = 100
µ
H
V
GE
= 15v
V
GE
= 10v
V
ce(pk)
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0 100 200 300 400 500 600
0
20
40
60
80
100
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 15v, r
G
= 25
Ω
, l = 100
µ
H
限制 用
电路
C
OES
C
RES
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
0510152025
0
500
1000
1500
2000
2500
c, 电容 (pf)
C
IES
频率 = 1mhz
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
Q
G
, 门 承担 (nc)
I
g(ref)
= 1.276ma, r
L
= 50
Ω
, t
C
= 25
o
C
0
240
120
360
480
600
15
12
9
6
3
0
V
CE
= 600v
V
CE
= 200v
10 20 30 40 50 600
V
CE
= 400v
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