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资料编号:377269
 
资料名称:HGTG11N120CN
 
文件大小: 81.89K
   
说明
 
介绍:
43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
 
 


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©2001 仙童 半导体 公司 hgtg11n120cn, hgtp11n120cn, hgt1s11n120cns rev. b
图示 3. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 指定
(持续)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
T
J
= 150
o
c, r
G
= 10
, l = 2mh, V
CE
= 960v
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
2
5
10
2010
50
5
100
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 0.42
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
)
T
C
= 75
o
c, v
GE
= 15v, 完美的 二极管
T
C
V
GE
110
o
C
12V
15V
15V
75
o
C
110
o
C
75
o
C
12V
200
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
12 13 14 15 16
5
10
15
20
50
100
150
250
t
SC
I
SC
25
200
V
CE
= 840v, r
G
= 10
, t
J
= 125
o
C
024
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
10
20
6
8
30
50
250
µ
s 脉冲波 测试
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 12v
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
40
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
20
30
40
02468
10
50
0
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
250
µ
s 脉冲波 测试
E
ON2
, 转变-在 活力 丧失 (mj)
4
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
3
2
50
5
10
0
15 2
0
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
R
G
= 10
, l = 2mh, v
CE
= 960v
1
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
2.5
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
, 转变-止 活力 丧失 (mj)
0
50
0.5
1.5
1.0
2.0
3.0
3.5
10
R
G
= 10
, l = 2mh, v
CE
= 960v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
15 2
0
hgtg11n120cn, hgtp11n120cn, hgt1s11n120cns
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