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资料编号:37795
 
资料名称:2N2218A
 
文件大小: 155.51K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Planar Transistors
 
 


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MSCO933一个 10-14-98dsw2n2218a <-> (34724)
2N2218一个
FeaturesFeatures
满足 mil 19500 /251
集电级 - 根基 电压 75v
集电级 - 电流800毫安
有 在 至-5
最大 比率
比率 标识 单位
集电级 - 发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 - 根基电压 V
CBO
75 Vdc
发射级-根基电压 V
EBO
6 Vdc
集电级 电流-持续的 I
C
800 mAdc
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°°
C
P
D
0.8 WATTS
减额 在之上 25
°°
C
4.6
mw/
°°
C
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°°
C
P
D
3.0 WATTS
减额 在之上 25
°°
C
17.0
mw/
°°
C
运行 接合面&放大;存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-
55 至 +200
°°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
θθ
JA
217
°°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
R
θθ
JC
59
°°
c/w
580 pleasant st.
watertown, 毫安 02472
ph: (617) 926-0404
传真: (617) 924-1235
小 信号
双极
NPN
切换
晶体管
jan, jantx, jantxv
至-39
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